众所周知，在芯片产业链中，光刻机是所有设备中，比较关键的一个。
最重要的是，这个光刻机技术，国内落后国际水平实在太远了。ASML的光刻机已经实现了3nm工艺，是EUV光刻机。
(资料图片)
而国内最先进的光刻机，还是上海微电子的SSA600系列，精度仅为90nm，连浸润式光刻机，都研发不出来。
也正因为如此，所以ASML一直在光刻机上卡我们脖子，也让我们的芯片制造因为缺少光刻机，而停留在成熟工艺上，迈不进10nm，以及7nm。
所以一直以来，大家都希望国产光刻机能够突破，进入到28nm阶段，因为一旦实现28nm，就意味着拥有了浸润式光刻机，实际不仅仅是能生产28nm芯片，进行多次曝光之后，甚至有可能达到7nm。
而近日，权威媒体曝光了一个重大消息，那就是国产28nm光刻机，有望年底交付。
什么是权威媒体，当然不是一些自媒体，而是新华网这个官媒，新华网是 国家通讯社 新华社旗下的媒体，当然是非常权威的。
如下图所示，新华网将新光刻机的型号等都公布出来了，是SSA/800-10W，并表示预计在年底国产，是一台28nm浸没式（浸润式）光刻机。
而浸润式光刻机，目前有三种 多重曝光技术，分别是LELE、LFLE、SADP，最高确实能够生产7nm的芯片。
比如ASML目前在售的三种浸润式光刻机，实际都能实现7nm芯片的光刻，哪怕是相对最成熟的NXE:1980Di，也可以用于7nm芯片制造。
而从普通的干式光刻机，到浸润式光刻机，是一个质的飞跃，要知道目前全球仅ASML、尼康两家能制造浸润式光刻机，佳能都不行，如果我们真的能够制造浸润式光刻机了，这是不是一个好消息了？
甚至想的更远一点，如果这台28nm的光刻机，能够制造7nm芯片，可能都会对当前的芯片禁令产生巨大的影响。
因为目前的芯片禁令，针对的逻辑芯片是14nm及以下的芯片，如果国产光刻机能够实现7nm，这个芯片禁令或许就要被撕开一个口子了，是不是意义重大？
当然，任何东西在没有真正量产交付之前，我们还是要持怀疑态度的，因为这个28nm光刻机的消息，传了好几年了，但一直只在传说中，没有真正见到过。
那么接下来，就只有让我们拭目以待了，看看他到底什么时候量产交付，又能生产出多少纳米的芯片。
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